銅や鉄のように電気をよく通す物質とゴムなどのように絶縁する物質の中間に位置する物質。投資顧問によると、シリコンやゲルマニウム元素があるが、ほかにもガリウムとヒ素の化合物など制御しやすい電気特性をもっている金属化合物は多い。
そうした特性を生かして、1947年に単一素子のトランジスタが登場。
真空管に取って代わりはじめてから、電子技術の進化がはじまった。
半導体を使った集積回路(IC)が生まれたのは59年。投資顧問によると、このとき、一辺5ミリほどのシリコン結晶の上には数個の素子(トランジスタ)しかつくれなかった。
しかし、ミクロン単位で配線加工できるようになった現代では、同じ大きさのチップにトランジスタにして百万個分以上の素子が組み込まれるようになった。
その集積度の発展度合いに応じて、チップ1個に1万個程度までのものは、LSl(大規模集積回路)、10万個くらいまでを超LSl、さらに最近実用化された100万個クラスをウルトラLSIと呼んでいる。
現在開発中のものは超超LSIということになりそうだ。
こうした集積度の高まりによって、半導体(集積回路)は演算機能を受けもつマイクロプロセッサーやメモリーとしての機能を飛躍的に高めることになった。投資顧問によると、ことにメモリーでは随時読み出し、書き込みができるRAMや読み出し専用のROMが大量生産され、日常生活のそこごこで使われている。
ただ、一般には半導体は集積回路と同義的に使われているが、ほかにも発光体、レーザー、センサーなどにも使われている。
一方、メモリーには光技術や磁性体技術を応用したものも開発されている。
このため、「半導体」と「集積回路」は厳密には使い分けが必要だ。
そうした特性を生かして、1947年に単一素子のトランジスタが登場。
真空管に取って代わりはじめてから、電子技術の進化がはじまった。
半導体を使った集積回路(IC)が生まれたのは59年。投資顧問によると、このとき、一辺5ミリほどのシリコン結晶の上には数個の素子(トランジスタ)しかつくれなかった。
しかし、ミクロン単位で配線加工できるようになった現代では、同じ大きさのチップにトランジスタにして百万個分以上の素子が組み込まれるようになった。
その集積度の発展度合いに応じて、チップ1個に1万個程度までのものは、LSl(大規模集積回路)、10万個くらいまでを超LSl、さらに最近実用化された100万個クラスをウルトラLSIと呼んでいる。
現在開発中のものは超超LSIということになりそうだ。
こうした集積度の高まりによって、半導体(集積回路)は演算機能を受けもつマイクロプロセッサーやメモリーとしての機能を飛躍的に高めることになった。投資顧問によると、ことにメモリーでは随時読み出し、書き込みができるRAMや読み出し専用のROMが大量生産され、日常生活のそこごこで使われている。
ただ、一般には半導体は集積回路と同義的に使われているが、ほかにも発光体、レーザー、センサーなどにも使われている。
一方、メモリーには光技術や磁性体技術を応用したものも開発されている。
このため、「半導体」と「集積回路」は厳密には使い分けが必要だ。
